本发明提供一种基板处理方法，具备：(a)通过对表面具有第一膜和第二膜的基板，在单独存在原料的情况下，在上述原料不进行热分解且上述原料的物理吸附比化学吸附更优势性产生的条件下，供给原料、第一反应体和第二反应体，从而在上述第一膜及上述第二膜上形成第三膜的工序；以及(b)通过将在上述第一膜及上述第二膜上形成有上述第三膜的上述基板的表面，曝露于与上述第一膜反应的蚀刻剂，从而在保持上述第二膜及上述第三膜的同时，除去上述第一膜的工序。