Invention Grant
CN1210622C 用于短波长光的负型光致抗蚀组合物及其形成图像的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 用于短波长光的负型光致抗蚀组合物及其形成图像的方法
- Patent Title (English): Negative photoresist composition for short-wave long light and method for forming image
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Application No.: CN98117484.1Application Date: 1998-08-27
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Publication No.: CN1210622CPublication Date: 2005-07-13
- Inventor: 岩佐繁之 , 前田胜美 , 中野嘉一郎 , 长谷川悦雄
- Applicant: 日本电气株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 日本电气株式会社
- Current Assignee: 日本电气株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 王其灏
- Priority: 231344/1997 1997.08.27 JP; 23206/1998 1998.02.04 JP
- Main IPC: G03F7/039
- IPC: G03F7/039 ; H01L21/027
Abstract:
一种负型光致抗蚀剂组合物，由以下成分组成：含有由化学通式(1)所示重复单元的聚合物，由含有化学通式(2)所示官能团的化合物组成的交联剂，和响应光而产酸的光-酸发生剂。化学通式(1)和(2)如下，式中的R1，R2和R8如说明书中所述。
Public/Granted literature
- CN1209570A 用于短波长光的负型光致抗蚀剂组合物及其形成图像的方法 Public/Granted day:1999-03-03
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IPC分类:
