发明授权
CN1226436C 一种低熔点铜-磷基中间合金及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种低熔点铜-磷基中间合金及其制备方法
- 专利标题(英): Lowmelting intermadiate alloy of copper and phosphor base and preparation method
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申请号: CN200310105444.3申请日: 2003-10-27
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公开(公告)号: CN1226436C公开(公告)日: 2005-11-09
- 发明人: 刘相法 , 武玉英 , 刘相俊 , 乔进国 , 边秀房
- 申请人: 山东大学
- 申请人地址: 山东省济南市历下区经十路73号
- 专利权人: 山东大学
- 当前专利权人: 山东大学
- 当前专利权人地址: 山东省济南市历下区经十路73号
- 代理机构: 济南舜源专利事务所有限公司
- 代理商 张希华
- 主分类号: C22C9/00
- IPC分类号: C22C9/00 ; C22C1/03
摘要:
本发明涉及一种用于细化铝-硅合金中初晶硅的低熔点铜-磷基中间合金及其制备方法。该中间合金的化学组成为:铜、磷、硅、镍、锑、铋、锰或银组成。制备步骤是:按比例准备好工业纯铜、赤磷、结晶硅、电解镍、纯锑、纯铋、电解锰和银;将结晶硅粉碎成直径在为1毫米以下的颗粒,并与赤磷粉混合均匀,然后用铜箔包好;在熔炼炉中将电解纯铜熔化,首先将包好的结晶硅与赤磷的混合粉压入到铜熔体中并直至反应完全,然后依次加入已称取好的镍、锑、铋、锰或银,迅速搅拌至完全反应,直接浇注成锭或用雾化设备等制成细小的颗粒状。该中间合金在使用过程中无污染,密度低,熔点低,熔化速度快,变质效果稳定、长效,可取代铜-磷中间合金,是一种新型高效高磷含量低熔点的铝-硅合金变质剂。
公开/授权文献
- CN1540011A 一种低熔点铜-磷基中间合金及其制备方法 公开/授权日:2004-10-27