Invention Grant
CN1226760C 固体电解电容的制造方法及固体电解电容
失效 - 权利终止
- Patent Title: 固体电解电容的制造方法及固体电解电容
- Patent Title (English): Mfg. Method of solid electrolytic capacity and solid electrolytic capacity
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Application No.: CN02104533.XApplication Date: 2002-02-08
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Publication No.: CN1226760CPublication Date: 2005-11-09
- Inventor: 细川知子 , 辻康畅 , 加藤寿孝 , 林千春 , 渡边善博
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本国大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee Address: 日本国大阪府
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 汪惠民
- Priority: 2001-31942 2001.02.08 JP
- Main IPC: H01G9/15
- IPC: H01G9/15 ; H01G13/00

Abstract:
一种制造固体电解电容的方法,把阳极体浸泡在聚合物骨架内具有亲水基的导电性高分子水溶液中,然后将其取出,进行加热处理,从而在所述阳极体上形成导电性高分子层,然后在所述导电性高分子层上覆盖含有由杂环化合物或其衍生物构成的单体的溶液,然后通过把含有该单体的溶液中的单体进行聚合形成聚合膜,然后进行用于除去残留在该聚合膜上的残渣的洗涤,然后对其进行干燥,从而形成第1固体电解质层,通过采用该制造方法,可提高生产效率,稳定地制造出可靠性高的产品。本发明解决了由于形成固体电解质层时生成的残渣导致性能下降的问题,其目的在于提供一种可制造出性能优良的产品的固体电解电容的制造方法及固体电解电容。
Public/Granted literature
- CN1369888A 固体电解电容的制造方法及固体电解电容 Public/Granted day:2002-09-18
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