发明公开
CN1246729A 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and manufacture method thereof
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申请号: CN99118338.X申请日: 1999-08-31
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公开(公告)号: CN1246729A公开(公告)日: 2000-03-08
- 发明人: 宫木美典 , 铃木一成 , 面田大介
- 申请人: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社
- 当前专利权人: 株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权: 245406/1998 1998.08.31 JP
- 主分类号: H01L23/02
- IPC分类号: H01L23/02 ; H01L23/495 ; H01L21/50
摘要:
一种半导体器件包括具有形成于其第一主表面上的多个电极的半导体芯片;于其中密封半导体芯片的树脂封装;电连接半导体芯片电极的多个引线,其形成为在树脂封装内部和外部延伸;在与第一主表面相对的半导体芯片第二主表面的一部分处支撑半导体芯片的支撑引线。半导体芯片用粘合带键合于支撑引线上。
公开/授权文献
- CN1204622C 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2005-06-01
IPC分类: