发明公开
CN1249525A 场致发射型电子源
失效 - 权利终止
- 专利标题： 场致发射型电子源
- 专利标题（英）： Field emission electron source
-
申请号： CN99120728.9申请日： 1999-09-24
-
公开(公告)号： CN1249525A公开(公告)日： 2000-04-05
- 发明人: 菰田卓哉 , 栎原勉 , 相泽浩一 , 越田信义
- 申请人： 松下电工株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电工株式会社
- 当前专利权人： 松下电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 上海专利商标事务所
- 代理商 孙敬国
- 优先权： 272342/1998 1998.09.25 JP; 115707/1999 1999.04.23 JP
- 主分类号： H01J1/30
- IPC分类号： H01J1/30 ; H01J9/02
摘要：
一种场致发射型电子源及其制造方法,在n型硅基板主表面侧形成强电场漂移单元,在该单元上形成金薄膜构成的表面电极。在n型硅基板背面形成欧姆电极。表面电极配置在真空中,且相对欧姆电极作为正极,通过施加直流电压,从n型硅基板注入的电子在强电场漂移单元漂移经表面电极发射。强电场漂移单元由与作为基板的n型硅基板的厚度方向垂直的剖面呈网孔状的电子进行漂移的漂移单元和填满在网孔中导热性比漂移单元好的散热单元构成。
公开/授权文献
- CN1182561C 场致发射型电子源及其制造方法 公开/授权日：2004-12-29
