发明授权
CN1254691C 二阶静态磁场校正方法和MRI装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 二阶静态磁场校正方法和MRI装置
- 专利标题（英）： Second order static magnetic field correction method and MRI device
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申请号： CN01145492.X申请日： 2001-11-21
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公开(公告)号： CN1254691C公开(公告)日： 2006-05-03
- 发明人: 后藤隆男
- 申请人： GE医疗系统环球技术有限公司
- 申请人地址： 美国威斯康星州
- 专利权人： GE医疗系统环球技术有限公司
- 当前专利权人： GE医疗系统环球技术有限公司
- 当前专利权人地址： 美国威斯康星州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 王岳; 张志醒
- 优先权： 354862/00 2000.11.21 JP
- 主分类号： G01R33/38
- IPC分类号： G01R33/38 ; A61B5/055
摘要：
为了减小MRI装置中的二阶静态磁场分量，将第一圆形环路线圈(C1)和第二圆形环路线圈(C2)相对于MRI(100)装置的成像区域中心Z0对称在静态磁场(B0)方向上间隔开的位置上放置。类似地放置第三圆形环路线圈(C3)和第四圆形环路线圈(C4)。第一和第二圆形环路线圈(C1)和(C2)产生方向相同的第一校正磁场(bz1)和第二校正磁场(bz2)，第三和第四圆形环路线圈(C3)和(C4)产生相同方向并与第一校正磁场(bz1)方向相反的第三校正磁场(bz3)和第四校正磁场(bz4)。静态磁场(B0)的二阶分量通过校正磁场(bz1-bz4)进行校正。
公开/授权文献
- CN1373370A 二阶静态磁场校正方法和MRI装置 公开/授权日：2002-10-09
