Invention Publication
- Patent Title: 抗蚀剂图案,形成抗蚀剂图案的工艺以及形成布线图案的工艺
- Patent Title (English): Photoresist pattern, technology for forming photoresist pattern and technology for forming wiring pattern
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Application No.: CN99124871.6Application Date: 1999-11-18
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Publication No.: CN1254944APublication Date: 2000-05-31
- Inventor: 丰田祐二 , 越户义弘 , 长谷川正幸
- Applicant: 株式会社村田制作所
- Applicant Address: 日本京都府
- Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee Address: 日本京都府
- Agency: 上海专利商标事务所
- Agent 陈亮
- Priority: 329895/1998 1998.11.19 JP
- Main IPC: H01L21/027
- IPC: H01L21/027 ; H01L21/28 ; H01L21/768 ; G03F7/00
Abstract:
本发明提供了一种形成布线图案的工艺,包含步骤:通过光掩膜使抗蚀剂曝光,所述光掩膜具有线宽等于或小于分辨极限的图案;并使曝光后的抗蚀剂显像,以形成抗蚀剂图案,它的表面上具有槽凹陷,凹陷未达到抗蚀剂图案的背面。抗蚀剂可以是正抗蚀剂,其中抗蚀剂图案形成在底板馈送薄膜上;电镀金属沉淀在馈送薄膜未由抗蚀剂图案覆盖的区域中;在沉淀后将抗蚀剂去掉;在未由电镀金属覆盖的区域中将馈送薄膜选择性地去掉。
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IPC分类:
