发明公开
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and its manufacturing method
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申请号： CN99125526.7申请日： 1999-12-02
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公开(公告)号： CN1256512A公开(公告)日： 2000-06-14
- 发明人: 松原义久
- 申请人： 日本电气株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日本电气株式会社
- 当前专利权人： 日本神奈川县
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 张祥龄
- 优先权： 346031/1998 1998.12.04 JP
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/28 ; H01L21/311
摘要：
在本发明中,在此公开一种半导体器件,其铜互连层形成多级结构;其特征在于至少一个位于铜互连层之间的层间膜具有层状结构,其中按照次序从下层铜互连层一侧叠放一含氟的无定形碳膜与一SiO2膜;一层状结构,其中按次序叠放氮化硅,然后叠放氮氧化硅或碳化硅;或者包括单氮化硅层的一种结构。这种层间膜作为防反射涂层。
公开/授权文献
- CN1114943C 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2003-07-16
IPC分类:
