发明授权
- 专利标题: 薄膜结构体及其制造方法
- 专利标题(英): Thin film structure and manufacturing method thereof
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申请号: CN200410045258.X申请日: 2004-06-04
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公开(公告)号: CN1256718C公开(公告)日: 2006-05-17
- 发明人: 矢泽久幸
- 申请人: 阿尔卑斯电气株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 阿尔卑斯电气株式会社
- 当前专利权人: TDK株式会社,
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 刘建
- 优先权: 2003-163088 2003.06.09 JP; 2003-316950 2003.09.09 JP
- 主分类号: G11B5/31
- IPC分类号: G11B5/31
摘要:
一种薄膜结构体及其制造方法,该薄膜结构体,在上层部(86),侧边缘部(86a)比基底部(81)的侧边缘部(81b)向外侧伸出而形成延出部(86b),线圈绝缘层(绝缘层)(57)也存在延出部(86b)的下方。由于在突起部(87)的延出部(86b)的下方也存在线圈绝缘层(绝缘层)(57),所以突起部(87)的周围的机械强度提高。从而,在保护层(绝缘层)(61)不易生成裂纹,而提高导通连接结构的耐蚀性。因此,这种薄膜结构体,机械强度高,并能够用于导通连接。
公开/授权文献
- CN1573937A 薄膜结构体及其制造方法 公开/授权日:2005-02-02
IPC分类: