发明授权
CN1257585C 半导体激光器件及其制造方法以及光盘再现和记录设备
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体激光器件及其制造方法以及光盘再现和记录设备
- 专利标题（英）： Semiconductor laser device and its manufacturing method and optical disk regenerating and recording equipment
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申请号： CN02161130.0申请日： 2002-12-18
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公开(公告)号： CN1257585C公开(公告)日： 2006-05-24
- 发明人: 蛭川秀一
- 申请人： 夏普公司
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 夏普公司
- 当前专利权人： 夏普公司
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波; 侯宇
- 优先权： 384511/01 2001.12.18 JP
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343 ; G11B7/00
摘要：
在于650℃的生长温度下，层叠多重应变量子阱有源层105的GaAsP构成垒层后，立即层叠AlGaAs构成的第二上导向层126。在温度保持在适合P基层生长的生长温度下，即650℃下生长该第二上导向层126。通过减少来自垒层的P解吸，使垒层与第二上导向层126之间的界面粗糙度减小到20或小于20。然后层叠第一上导向层106。该第一上导向层106的生长温度在开始时是650℃，该生长温度随着生长而升高，直到生长结束时温度达到750℃为止。
公开/授权文献
- CN1442934A 半导体激光器件及其制造方法以及光盘再现和记录设备 公开/授权日：2003-09-17
