发明公开
CN1269883A 制备高密度阵列的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 制备高密度阵列的方法
- 专利标题（英）： Method of making high density arrays
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申请号： CN98809024.4申请日： 1998-05-19
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公开(公告)号： CN1269883A公开(公告)日： 2000-10-11
- 发明人: J·R·小哈德森 , E·P·道森
- 申请人： 捷诺维申公司
- 申请人地址： 美国阿拉巴马州
- 专利权人： 捷诺维申公司
- 当前专利权人： 捷诺维申公司
- 当前专利权人地址： 美国阿拉巴马州
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 樊卫民
- 优先权： 08/927,974 1997.09.11 US
- 国际申请： PCT/US1998/10243 1998.05.19
- 国际公布： WO1999/13313 EN 1999.03.18
- 进入国家日期： 2000-03-10
- 主分类号： G01N1/36
- IPC分类号： G01N1/36 ; G01N1/06
摘要：
一种制备目标物质的高密度阵列的方法,包括切割一束目标线的步骤,其中目标线包含目标物质,其中切割得到多个高密度阵列,此外,本发明方法可包括额外的步骤,如稳定化目标线或线束,向高密度阵列中掺入一种或多种其它材料,及检查高密度阵列。同样,制备了根据本方法的高密度阵列。
公开/授权文献
- CN1249418C 一种生产目标物质的高密度阵列的方法及高密度阵列 公开/授权日：2006-04-05
