发明授权
CN1289892C 多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法
- 专利标题（英）： Structure layer thickness acquisition method for multiquantum trap infrared detection material
-
申请号： CN200310109247.9申请日： 2003-12-11
-
公开(公告)号： CN1289892C公开(公告)日： 2006-12-13
- 发明人: 陆卫 , 陈贵宾 , 王少伟 , 李宁 , 陈效双 , 季亚林 , 李志锋
- 申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 申请人地址： 上海市虹口区玉田路500号
- 专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人地址： 上海市虹口区玉田路500号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 张泽纯
- 主分类号： G01B11/06
- IPC分类号： G01B11/06 ; G01J3/28
摘要：
一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中A1组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
公开/授权文献
- CN1546944A 多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法 公开/授权日：2004-11-17