Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件
- Patent Title (English): Semiconductor device
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Application No.: CN200410001852.9Application Date: 2004-01-14
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Publication No.: CN1291495CPublication Date: 2006-12-20
- Inventor: 富留宫正之 , 大窪宏明 , 中柴康隆
- Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 恩益禧电子股份有限公司
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 穆德骏; 陆弋
- Priority: 008286/2003 2003.01.16 JP
- Main IPC: H01L27/04
- IPC: H01L27/04 ; H01L23/52

Abstract:
一种半导体器件,在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极,条状电极纵向方向相同,多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中,第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成,另外,并且彼此远离。然后,在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接,在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接,通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接,并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。
Public/Granted literature
- CN1518106A 半导体器件 Public/Granted day:2004-08-04
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IPC分类: