发明授权
CN1299257C 电流垂直于平面结构的磁电阻元件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 电流垂直于平面结构的磁电阻元件
- 专利标题(英): Magnetoresistive element of CPP structure
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申请号: CN02828592.1申请日: 2002-03-20
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公开(公告)号: CN1299257C公开(公告)日: 2007-02-07
- 发明人: 大岛弘敬 , 清水丰 , 田中厚志
- 申请人: 富士通株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 国际申请: PCT/JP2002/002684 2002.03.20
- 国际公布: WO2003/079331 JA 2003.09.25
- 进入国家日期: 2004-09-20
- 主分类号: G11B5/39
- IPC分类号: G11B5/39
摘要:
一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件,磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a),以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动,该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。
公开/授权文献
- CN1639771A 电流垂直于平面结构的磁电阻元件 公开/授权日:2005-07-13
IPC分类: