发明授权
- 专利标题： 能减少失真和噪声及增加绝缘度的开关电容结构
- 专利标题（英）： Switching capacitor structure capable of reducing distortion and noise and increasing insulation
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申请号： CN03149358.0申请日： 2003-06-17
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公开(公告)号： CN1316745C公开(公告)日： 2007-05-16
- 发明人: S·G·巴兹利 , R·K·库马拉贡特勒
- 申请人： 模拟设备股份有限公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州
- 专利权人： 模拟设备股份有限公司
- 当前专利权人： 美国亚德诺半导体公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈斌
- 优先权： 10/174,909 2002.06.17 US
- 主分类号： H03M1/08
- IPC分类号： H03M1/08 ; H03M1/12
摘要：
提供开关电容结构，因为这些开关电容结构能增强结构元件之间的绝缘度，并能在不同模式中，保证所选元件可靠和快速地截止和导通，能减少它们处理信号中的失真和噪声。
公开/授权文献
- CN1471234A 能减少失真和噪声及增加绝缘度的开关电容结构 公开/授权日：2004-01-28
