本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法，其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底，在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层，以达到紫外增强光吸收效果并消除其对红外光的响应，并采用合适的掺杂方式在其中构成PN结。外延材料采用特定的选择刻蚀工艺制作出台面结构，经钝化保护后制作出接触电极，并选用相应的抗反射增透膜进一步提高其短波响应。此种光电探测器可应用于火焰探测、紫外和可见光波段光度测量、尾焰跟踪、生物及化学气体检测、紫外线防护等方面，并可与红外波段的光电探测器进行单片或混合集成构成双色探测器。