发明公开
- 专利标题: 记忆合金人工喉支撑架
- 专利标题(英): Memory alloy artificial larynx support
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申请号: CN01130042.6申请日: 2001-12-10
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公开(公告)号: CN1354027A公开(公告)日: 2002-06-19
- 发明人: 周星 , 王跃建 , 王天铎 , 李艳芳 , 王思泉 , 杨大惠 , 郑明
- 申请人: 周星
- 申请人地址: 广东省广州市先烈南路19号12栋601房
- 专利权人: 周星
- 当前专利权人: 周星
- 当前专利权人地址: 广东省广州市先烈南路19号12栋601房
- 主分类号: A61M29/00
- IPC分类号: A61M29/00 ; A61F2/20 ; A61B17/00
摘要:
记忆合金人工喉支撑架,包括会厌支架、喉腔支架、开口和喉口边。由于使依靠记忆合金人工喉支撑架再造的全喉,既有粘膜层的光滑内壁,又有支架保持腔管通畅,再造的会厌体在记忆合金超弹性的作用下,张开、闭合自如。既能正常呼吸、发音,又能防止误咽,I期恢复全喉切除术后患者的喉发音功能、呼吸功能、吞咽保护功能。使全喉切除喉再造技术有重大突破,明显提高了全喉切除患者的生存质量,具有极好的社会效益和经济效益。
公开/授权文献
- CN1158110C 记忆合金人工喉支撑架 公开/授权日:2004-07-21