Invention Publication
- Patent Title: 激光加工用电介质基板与其加工方法及半导体组件与其制造方法
- Patent Title (English): Dielectric base plate for laser process and process method thereof, semiconductor components and manufacturing method thereof
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Application No.: CN02107946.3Application Date: 2002-03-22
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Publication No.: CN1376554APublication Date: 2002-10-30
- Inventor: 小仓洋 , 吉田善一
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本国大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee Address: 日本国大阪府
- Agency: 上海专利商标事务所
- Agent 沈昭坤
- Priority: 082155/01 2001.03.22 JP; 036514/02 2002.02.14 JP
- Main IPC: B23K26/00
- IPC: B23K26/00 ; H01L21/48 ; H01L23/12

Abstract:
本发明涉及激光加工用电介质基板与其加工方法及半导体组件与其制造方法。使上述电介质基板含有与激光波长的1/2~10倍大小的电介质基板材料折射率不同的物质,靠该物质提高对激光的吸收率,将激光能耗变换成形成通孔用的熔融热,形成形状良好的通孔。作为与电介质基板材料折射率不同的物质,在电介质基板为石英玻璃基板时使用气泡,为树脂基板时使用玻璃珠或玻纤。该基板介电常数及介质损耗小,用于高频电路时热损失小,且用YAG激光、受激准分子激光加工时形状良好,能得到适于廉价且大量生产的工序的激光加工用电介质基板,提供高频特性优良的半导体组件和高频电路。
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