激光加工用电介质基板与其加工方法及半导体组件与其制造方法
Abstract:
本发明涉及激光加工用电介质基板与其加工方法及半导体组件与其制造方法。使上述电介质基板含有与激光波长的1/2~10倍大小的电介质基板材料折射率不同的物质,靠该物质提高对激光的吸收率,将激光能耗变换成形成通孔用的熔融热,形成形状良好的通孔。作为与电介质基板材料折射率不同的物质,在电介质基板为石英玻璃基板时使用气泡,为树脂基板时使用玻璃珠或玻纤。该基板介电常数及介质损耗小,用于高频电路时热损失小,且用YAG激光、受激准分子激光加工时形状良好,能得到适于廉价且大量生产的工序的激光加工用电介质基板,提供高频特性优良的半导体组件和高频电路。
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