发明授权
- 专利标题: 用于芯片上静电放电保护的双极结晶体管及其方法
- 专利标题(英): Bipolar transistor used on chip for electrostatic discharging protection and its method
-
申请号: CN03119451.6申请日: 2003-03-12
-
公开(公告)号: CN1476090B公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: 张智毅 , 柯明道 , 姜信钦
- 申请人: 宇东科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾台北市敦化北路207号10楼之1A
- 专利权人: 宇东科技股份有限公司
- 当前专利权人: 宇东科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾台北市敦化北路207号10楼之1A
- 代理机构: 北京高默克知识产权代理有限公司
- 代理商 刘立天
- 优先权: 10/094,814 2002.03.12 US
- 主分类号: H01L23/60
- IPC分类号: H01L23/60 ; H01L27/00 ; H01L29/73
摘要:
一种从信号焊盘接收信号的集成电路器件包括:响应来自信号焊盘的信号的至少一个硅双极结晶体管,用于提供静电放电保护;和用于检测来自信号焊盘的信号并给至少一个硅双极结晶体管提供偏置电压的检测电路,其中至少一个硅双极结晶体管包括形成在单个硅层中并与集成电路器件的衬底隔离的发射极、集电极和基极,并且基极耦合到检测电路以接收偏置电压。
公开/授权文献
- CN1476090A 用于芯片上静电放电保护的双极结晶体管及其方法 公开/授权日:2004-02-18
IPC分类: