发明授权
CN1487529B 相变材料存储设备、其刷新方法和包括所述设备的系统
失效 - 权利终止
- 专利标题： 相变材料存储设备、其刷新方法和包括所述设备的系统
- 专利标题（英）： Phase change material storage equipment, refreshing method thereof and system comprising the equipment
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申请号： CN03132818.0申请日： 2003-07-21
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公开(公告)号： CN1487529B公开(公告)日： 2012-12-05
- 发明人: W·D·帕金森 , T·A·劳里
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 吴立明; 梁永
- 优先权： 10/212,630 2002.08.05 US
- 主分类号： G11C13/04
- IPC分类号： G11C13/04 ; G06F12/00
摘要：
一个相变材料存储设备的刷新存储器单元一种技术，包含确定一个相变材料存储器单元的存储级别是否在离一个电阻阈值的一个预定余量范围之内。响应于该确定，该单元被有选择地写入。
公开/授权文献
- CN1487529A 一个相变材料存储设备的刷新存储器单元 公开/授权日：2004-04-07
