发明公开
CN1513221A 带有内部镜面的激光二极管
失效 - 权利终止
- 专利标题: 带有内部镜面的激光二极管
- 专利标题(英): Laser diode with internal mirror
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申请号: CN02811320.9申请日: 2002-06-05
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公开(公告)号: CN1513221A公开(公告)日: 2004-07-14
- 发明人: J·E·昂加尔
- 申请人: 昆特森斯光电技术公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 昆特森斯光电技术公司
- 当前专利权人: 昆特森斯光电技术公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 王岳; 梁永
- 优先权: 60/296,630 2001.06.06 US; 10/163,859 2002.06.05 US
- 国际申请: PCT/US2002/018085 2002.06.05
- 国际公布: WO2002/099937 EN 2002.12.12
- 进入国家日期: 2003-12-05
- 主分类号: H01S3/08
- IPC分类号: H01S3/08 ; H01S3/081 ; H01S5/00
摘要:
一种半导体激光器(10),具有分布式反馈激光器部分(12)和放大器部分(14)。放大器部分(14)可以是锥形,以减小光功率密度,特别是在激光器的输出端面(18)上的光功率密度。半导体激光器(10)也包括反射元件(24),将来自分布式反馈激光器部分(12)的光(17)反射到放大器部分(14)。反射元件(24)将光束(17)的光路径(Op)折叠。折叠光路径(Op)使得放大器部分(14)的面积增加,而不增大半导体的管芯尺寸。更大的放大器部分(14)会增加激光器的输出功率。反射元件(24)同样会使得半导体管芯尺寸得到减小,而不降低激光器的光功率。
公开/授权文献
- CN1311595C 带有内部镜面的激光二极管 公开/授权日:2007-04-18