提供一种肖特基整流器。肖特基整流器包括：(A)具有半导体区和漂移区的第一和第二相对表面的半导体区，该半导体区包括邻接第一表面(12A)的第一导电类型的阴极区(12C)和邻接第二表面的第一导电类型的漂移区(12D)，该漂移区具有比阴极区的掺杂浓度更低的净掺杂浓度；(B)从第二表面(12B)延伸进入半导体区并在半导体区中限定一个或多个台面的一个或多个沟槽；(C)绝缘区(16)，邻接沟槽下部中的半导体区；(D)以及阳极电极，其(I)邻接肖特基整流接触并与第二表面(12)处的半导体形成肖特基整流接触，(II)邻接肖特基整流接触并与沟槽上部之中的半导体区形成肖特基整流接触，并且(III)邻接沟槽下部之中的绝缘区(16)。