发明公开
CN1554116A 形成焊盘的方法以及其结构
失效 - 权利终止
- 专利标题: 形成焊盘的方法以及其结构
- 专利标题(英): Method of forming a bond pad and structure thereof
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申请号: CN02817825.4申请日: 2002-08-20
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公开(公告)号: CN1554116A公开(公告)日: 2004-12-08
- 发明人: 托马斯·S·小林 , 斯科特·K·波兹德
- 申请人: 自由度半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 自由度半导体公司
- 当前专利权人: NXP美国公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 郭小军
- 优先权: 09/952,527 2001.09.14 US
- 国际申请: PCT/US2002/026607 2002.08.20
- 国际公布: WO2003/025998 EN 2003.03.27
- 进入国家日期: 2004-03-12
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/485
摘要:
一种焊盘(100),通过首先在一个焊盘区域中提供铜(18)与氧化硅功能部件(14)的平整化组合而形成。氧化硅功能部件(14)经过蚀刻处理,来在焊盘区域上的铜中形成多个凹槽(15)。在所述铜上和所述凹槽中的氧化硅功能部件上形成一个腐蚀阻隔层(22)。通过直接将探针贴附到所述铜上来对晶片(10)进行探测。一个丝焊部(24)被直接固附在铜(18)上。由于凹陷功能部件(15)的存在,防止了探针(80)完全刺穿铜(18)。利用所述铜中的凹槽(15),丝焊部(24)更易于破坏和刺穿腐蚀阻隔层,并且不太易于在焊盘(100)上滑动。
公开/授权文献
- CN1296980C 形成具有凹槽的焊盘的方法 公开/授权日:2007-01-24
IPC分类: