发明公开
CN1602563A 等离子体产生装置和方法以及RF驱动器电路
无效 - 撤回
- 专利标题： 等离子体产生装置和方法以及RF驱动器电路
- 专利标题（英）： Plasma production device and method and RF driver circuit
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申请号： CN02824545.8申请日： 2002-10-09
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公开(公告)号： CN1602563A公开(公告)日： 2005-03-30
- 发明人: J·D·埃文斯 , P·A·普日比尔
- 申请人： 等离子控制系统有限责任公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 等离子控制系统有限责任公司
- 当前专利权人： 等离子控制系统有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 龚海军; 王忠忠
- 优先权： 60/328,249 2001.10.09 US
- 国际申请： PCT/US2002/032334 2002.10.09
- 国际公布： WO2003/032434 EN 2003.04.17
- 进入国家日期： 2004-06-09
- 主分类号： H01Q1/12
- IPC分类号： H01Q1/12 ; H01J1/00
摘要：
公开了用于产生高密度等离子体的方法和系统的部分的一种RF驱动电路和正交的天线组件/布置。该天线组件(105，115，110，120)是正交天线系统，该系统可以由具有适当阻抗匹配的任意RF产生器/电路系统(125，130)驱动来提供低输出阻抗。所公开的RF驱动电路使用开关类型放大器元件并且提供低输出阻抗。所公开的低输出阻抗RF驱动电路省略了对于干扰与等离子体相关的该固有阻抗变化的匹配电路。还公开了选择电容和电感值来提供用于该RF等离子体源的调谐。
