发明公开
- 专利标题： 具有三层横梁的MEMS器件及其相关方法
- 专利标题（英）： MEMS device having a trilayered beam and related methods
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申请号： CN02826914.4申请日： 2002-11-08
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公开(公告)号： CN1613128A公开(公告)日： 2005-05-04
- 发明人: 肖恩·J·坎宁安 , 达纳·R·德吕斯 , 苏巴哈姆·塞特 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
- 申请人： 图恩斯通系统公司 , 维斯普瑞公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 图恩斯通系统公司,维斯普瑞公司
- 当前专利权人： 瑞声科技(新加坡)有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 王英
- 优先权： 60/337,527 2001.11.09 US; 60/337,528 2001.11.09 US; 60/337,529 2001.11.09 US; 60/338,055 2001.11.09 US; 60/338,069 2001.11.09 US; 60/338,072 2001.11.09 US
- 国际申请： PCT/US2002/035925 2002.11.08
- 国际公布： WO2003/043044 EN 2003.05.22
- 进入国家日期： 2004-07-08
- 主分类号： H01H57/00
- IPC分类号： H01H57/00
摘要：
提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。
公开/授权文献
- CN1292447C 具有三层横梁的MEMS器件 公开/授权日：2006-12-27
