具有阶梯状柱形结构的电容器的半导体器件及其制造方法
Abstract:
根据某些实施例,一种电容器包括存储导电图形,具有包围存储导电图形以便补偿存储电极的刻蚀损失的补偿部件的存储电极,布置在存储电极上的介质层以及布置在介质层上的板电极。因为补偿部件补偿几个刻蚀工序过程中存储电极的刻蚀损失,因此可以防止存储电极的结构稳定性退化。此外,因为在存储电极的上部上形成补偿部件,所以存储电极可以具有足够的厚度,以因此增强包括存储电极的电容器的电性能。
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