Invention Grant
CN1638131B 具有阶梯状柱形结构的电容器的半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 具有阶梯状柱形结构的电容器的半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device having a capacitor with a stepped cylindrical structure and method of manufacturing same
-
Application No.: CN200410097394.3Application Date: 2004-11-29
-
Publication No.: CN1638131BPublication Date: 2010-12-22
- Inventor: 朴济民 , 朴珍俊
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 林宇清; 谢丽娜
- Priority: 10-2003-0084844 2003.11.27 KR
- Main IPC: H01L27/108
- IPC: H01L27/108 ; H01L21/8242
Abstract:
根据某些实施例,一种电容器包括存储导电图形,具有包围存储导电图形以便补偿存储电极的刻蚀损失的补偿部件的存储电极,布置在存储电极上的介质层以及布置在介质层上的板电极。因为补偿部件补偿几个刻蚀工序过程中存储电极的刻蚀损失,因此可以防止存储电极的结构稳定性退化。此外,因为在存储电极的上部上形成补偿部件,所以存储电极可以具有足够的厚度,以因此增强包括存储电极的电容器的电性能。
Public/Granted literature
- CN1638131A 具有阶梯状柱形结构的电容器的半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2005-07-13
Information query
IPC分类: