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发明公开
CN1673864A 正性光刻胶的制作方法 无效 - 撤回

  • 专利标题： 正性光刻胶的制作方法
  • 专利标题（英）： Method for producing positive-working photoresist
  • 申请号： CN200410014386.8
    申请日： 2004-03-22
  • 公开(公告)号： CN1673864A
    公开(公告)日： 2005-09-28
  • 发明人: 林广德
  • 申请人： 林广德
  • 申请人地址： 江苏省镇江市丹徒区上会镇新宇化工有限责任公司
  • 专利权人： 林广德
  • 当前专利权人： 林广德
  • 当前专利权人地址： 江苏省镇江市丹徒区上会镇新宇化工有限责任公司
  • 代理机构： 南京知识律师事务所
  • 代理商 殷春蕾
  • 主分类号： G03F7/039
  • IPC分类号： G03F7/039 ;  G03F7/00
正性光刻胶的制作方法
摘要：
本发明公开了一种正性光刻胶的制作方法，依次包括如下步骤：a)在丙烯酸酯单体的a－位引入2，2，3，3－四氟乙基，合成a－含氟丙烯酸酯单体；b)利用a－含氟丙烯酸酯自聚或与丙烯酸酯类化合物共聚成含氟量不同的光刻材料；c)利用步骤b)材料生产亚微米级a－含氟丙烯酸酯正性光刻材料，分辨率≤0.4μm。本发明是在丙烯酸酯的分子结构中引入X－RAY吸收系数较高的原子或基团、在丙烯酸的X一位引入强吸电子基团和在聚丙烯酸酯系列的分子的主链的季碳原子上引入有位阻的大基团，改进高聚物对辐照的吸收性能和提高辐照感度，利用与丙烯酸酯类化合物的共聚进一步提高抗蚀剂的感度和TG，分辨率≤0.4μm。
摘要（英）：

The preparation process of positive photoresist includes the following steps: a) introducing 2, 2, 3, 3-tetrafluoro ethyl radical to the a-place of acrylate monomer to synthesize a-fluoro acrylate monomer; b) polymerizing a-fluoro acrylate or copolymerizing a-fluoro acrylate with acrylate compound to form photoresist material with different fluorine content; and c) producing submicron level positive a-fluoro acrylate photoresist of resolutioin not greater than 0.4 micron with the photoresist material. The present invention introduces atom or radical with relatively high X-ray absorption coefficient into the molecular structure of acrylate and introduces powerful electron absorbing radical to the X-place of acrylate and large steric radical to the main chain of acrylate molecule, so as to improve the radiation absorbing performance of the polymer and radiation sensitivity. By means of copolymerization with acrylate compound, the sensitivity and TG are further raised to reach the said resolution.

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