将离子束注入于半导体装置的方法

发明授权

请登陆查看更多内容

专利标题： 将离子束注入于半导体装置的方法
专利标题（英）： Method for implanting ions in semiconductor device
申请号： CN200410081799.8

申请日： 2004-12-31
公开(公告)号： CN1697136B

公开(公告)日： 2011-10-12
发明人: 孙容宣 , 秦丞佑 , 李民镛 , 卢径奉
申请人： 海力士半导体有限公司
申请人地址： 韩国京畿道
专利权人： 海力士半导体有限公司
当前专利权人： 海力士半导体有限公司
当前专利权人地址： 韩国京畿道
代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
代理商 杜诚; 陈炜
优先权： 10-2004-0032799 2004.05.10 KR; 10-2004-0077964 2004.09.30 KR
主分类号： H01L21/265
IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/336

摘要：

本发明提供了一种用于注入离子于一半导体装置的方法，其能够补偿再施行均匀离子注入至基板之全部表面时产生的基板中央部分与边缘部分之间的阈电压之差异，以及用于制造一半导体装置的其它方法，其能够通过形成一非均匀沟道掺杂层或通过形成一非均匀结轮廓(profile)来增进基板之内部晶体管参数之分布。

摘要（英）：

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for implanting ions into a semiconductor board which method compensates a threshold voltage gap between the central portion and the peripheral portion of the board created, as a result of uniformly implanting ions into the entire surface of the board, and to provide a manufacturing method for a semiconductor element which the manufacturing method improvesthe nonuniformity of transistor characteristics in the board.

公开/授权文献

CN1697136A 将离子束注入于半导体装置的方法公开/授权日：2005-11-16

信息查询

中国专利公布公告 Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263	.....带有高能辐射的（H01L21/261优先）
H01L21/265	......产生离子注入的