Invention Publication
CN1714442A 半导体器件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件
- Patent Title (English): Semiconductor device
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Application No.: CN02811006.4Application Date: 2002-05-28
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Publication No.: CN1714442APublication Date: 2005-12-28
- Inventor: 永田达也 , 宫本诚司 , 安藤英子
- Applicant: 株式会社日立制作所
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 株式会社日立制作所
- Current Assignee: 株式会社日立制作所
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 王永刚
- Priority: 161914/2001 2001.05.30 JP
- International Application: PCT/JP2002/005163 2002.05.28
- International Announcement: WO2002/099876 JA 2002.12.12
- Date entered country: 2003-12-29
- Main IPC: H01L23/12
- IPC: H01L23/12

Abstract:
抑制半导体器件尺寸的增大和降低噪声。一种半导体器件包含:基片(5),在由印刷电路板制成的基片芯层(7)两侧分别提供有表层(9,11);半导体元件(1)装在基片(5)上。半导体元件(1)用连接件(3)与表层之一(9)连接,在另一个表层(11)上排列有外引线端(55)。芯层(7)中制作有通孔(41,43,45,75,77),使半导体元件(1)与外引线端(55)电连接。通孔(41,43,45,75,77)包括按照外部通孔阵列(55)布置的阵列式通孔(41,43,45),一个或多个附加通孔(75,77)制作在阵列式通孔(41,43,45)之间。
Public/Granted literature
- CN100390969C 半导体器件 Public/Granted day:2008-05-28
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IPC分类: