发明授权
- 专利标题: 场发射显示装置及其制备方法
- 专利标题(英): Field emission display device and preparation method thereof
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申请号: CN200410050829.9申请日: 2004-07-22
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公开(公告)号: CN1725416B公开(公告)日: 2012-12-19
- 发明人: 魏洋 , 刘亮 , 范守善
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华大学物理系
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学物理系
- 主分类号: H01J3/02
- IPC分类号: H01J3/02 ; H01J31/12 ; H01J9/02
摘要:
本发明涉及一种场发射显示装置及其制备方法,用于解决三极或四极型场发射显示装置中栅极与阴极间绝缘层难于制造的技术问题。该场发射显示装置包括:一绝缘基底,具有多个电子发射端的阴极,以及栅极,其特征在于该绝缘基底一表面上内陷有多个凹槽,阴极形成于该凹槽底部,栅极形成于该基底非凹槽部分的表面,并通过基底与阴极绝缘。本发明还提供一种场发射显示装置的制备方法,其包括下列步骤:步骤一,提供一具有一平整表面的绝缘基底;步骤二,在绝缘基底表面形成多个内陷的凹槽;步骤三,在凹槽底部形成阴极层;步骤四,在阴极层上形成电子发射端;步骤五,提供栅极模组,并将其对准安装在基底表面,栅极模组包括栅极和栅极载体。
公开/授权文献
- CN1725416A 场发射显示装置及其制备方法 公开/授权日:2006-01-25