Invention Grant
CN1725521B 光电子器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 光电子器件及其制造方法
- Patent Title (English): Optoelectronic device and manufacturing method
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Application No.: CN200510082114.6Application Date: 2005-06-29
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Publication No.: CN1725521BPublication Date: 2010-10-27
- Inventor: 沃尔特·里斯 , 海克·里尔 , 西格弗里德·F·卡格
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约阿芒克
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee Address: 美国纽约阿芒克
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 李晓舒; 魏晓刚
- Priority: 04405455.9 2004.07.16 EP
- Main IPC: H01L51/00
- IPC: H01L51/00 ; H01L33/00 ; H05B33/00
Abstract:
本发明涉及光电子器件及其制造方法。光电子器件包括用于发光的光电子部件(12,14,16)、光发射表面(22)及光发射表面(22)上的盖层(18)。盖层(18)包括具有第一折射系数的第一材料及具有第二折射系数的第二材料的混合物。
Public/Granted literature
- CN1725521A 光电子器件及其制造方法 Public/Granted day:2006-01-25
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IPC分类: