发明公开
CN1800893A 离子交换工艺中基片表面的保护方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 离子交换工艺中基片表面的保护方法
- 专利标题（英）： Substrate surface protection method for ion exchange process
-
申请号： CN200610023418.X申请日： 2006-01-18
-
公开(公告)号： CN1800893A公开(公告)日： 2006-07-12
- 发明人: 韩秀友 , 方祖捷 , 庞拂飞 , 初凤红 , 蔡海文 , 瞿荣辉
- 申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 申请人地址： 上海市800-211邮政信箱
- 专利权人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 当前专利权人地址： 上海市800-211邮政信箱
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 张泽纯
- 主分类号： G02B6/13
- IPC分类号： G02B6/13 ; G03F7/20
摘要：
一种离子交换工艺中基片表面的保护方法，该方法的实质是利用一种含有与基片相同的可交换离子且具有抵抗熔盐侵蚀能力的玻璃材料，采用镀膜的方法淀积在基片的表面上，达到在离子交换过程中防止熔盐侵蚀的作用。本发明离子交换工艺中基片表面的保护方法材料成本低廉、工艺简单易行、效果良好。
公开/授权文献
- CN100359348C 离子交换工艺中基片表面的保护方法 公开/授权日：2008-01-02
