发明公开
CN1812100A 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and manufacturing method therefor
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申请号： CN200510129633.3申请日： 2005-12-14
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公开(公告)号： CN1812100A公开(公告)日： 2006-08-02
- 发明人: 油谷直毅
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权： 2004－361477 2004.12.14 JP
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L23/50 ; H01L21/822 ; H01L21/60
摘要：
具有良好的特性且能提高信赖度，还可以使用SiC晶片。在SiC芯片(9)上形成多个肖特基势垒二极管的单元(10)，各单元(10)具有独立的外部输出电极(4)。形成在SiC芯片(9)上的单元(10)中，只在合格的单元的外部输出电极(4)上形成凸点(11)(直径为数十～数百μm)，没有耐压或漏电电流多的不合格的单元的外部输出电极(4)上不形成凸点。由于不合格的单元上不形成凸点，所以肖特基势垒侧电极(3)依次通过外部输出电极(4)、凸点(11)、布线基板(12)的布线层(13)、外部导线(13a)与外部并联连接，只并联连接合格的单元(10)的外部输出电极(4)。
公开/授权文献
- CN100433331C 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2008-11-12
IPC分类:
