CMOS图像传感器的制造方法

发明授权

CN1819142B CMOS图像传感器的制造方法失效 - 权利终止

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专利标题： CMOS图像传感器的制造方法
专利标题（英）： Method for fabricating CMOS image sensor
申请号： CN200510097487.0

申请日： 2005-12-28
公开(公告)号： CN1819142B

公开(公告)日： 2010-05-12
发明人: 金麟洙
申请人： 东部亚南半导体株式会社
申请人地址： 韩国首尔
专利权人： 东部亚南半导体株式会社
当前专利权人： 东部亚南半导体株式会社
当前专利权人地址： 韩国首尔
代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
代理商 余刚
优先权： 10-2004-0116414 2004.12.30 KR
主分类号： H01L21/82
IPC分类号： H01L21/82 ; H01L27/146

摘要：

在一种制造CMOS图像传感器的方法中，在焊盘上用氮化硅层形成微透镜，使得能够降低微透镜的高度，并能够提高折射率。除了外形为弯曲表面的主透镜，还通过以高蚀刻选择比蚀刻氧化硅层和氮化硅层，形成了侧壁隔离物型状的内部透镜。

摘要（英）：

In a method for fabricating a CMOS image sensor, microlenses are formed with a silicon nitride layer formed on a pad such that it is possible to decrease a height of microlens and to improve a refraction ratio. In addition to main lenses in shape of curved surface, inner lenses are formed in shape of a sidewall spacer by etching oxide and nitride layers at a high etching selection ratio.

公开/授权文献

CN1819142A CMOS图像传感器的制造方法公开/授权日：2006-08-16

信息查询

中国专利公布公告 Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路