发明公开
CN1819204A 使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件
无效 - 驳回
- 专利标题： 使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件
- 专利标题（英）： Nonvolatile nanochannel memory device using mesoporous material
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申请号： CN200510127061.5申请日： 2005-11-30
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公开(公告)号： CN1819204A公开(公告)日： 2006-08-16
- 发明人: 周原提 , 林珍亨 , 李光熙 , 李相均
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 宋莉; 贾静环
- 优先权： 11290/05 2005.02.07 KR
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L21/82
摘要：
一种使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件。特别地，一种由能够形成纳米沟道的介孔材料组成的存储器件，其中具有填充入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层配置在上电极和下电极之间。因而，该存储器件具有高的加工性，并显示了优异的重现性和均一的性能。
IPC分类:
