发明公开
- 专利标题: 半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN200610009441.3申请日: 2006-02-22
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公开(公告)号: CN1825580A公开(公告)日: 2006-08-30
- 发明人: 太田充 , 加藤友规
- 申请人: 恩益禧电子股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 恩益禧电子股份有限公司
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 陈平
- 优先权: 2005-046272 2005.02.22 JP
- 主分类号: H01L23/49
- IPC分类号: H01L23/49 ; H01L23/29
摘要:
本发明提供在更高温度操作中接合线与电极焊盘之间的结合部分区域的改善的可靠性。半导体器件100包括提供在引线框121上的半导体芯片102,其是用密封树脂115密封的。在引线框121两侧提供引线框119。部分引线框119是用密封树脂115密封的以起到内引线117作用。密封树脂115由基本上不含卤素的树脂组合物组成。此外,将半导体芯片102中提供的Al焊盘107暴露部分通过AuPd导线111导电连接到内引线117。
公开/授权文献
- CN100411162C 半导体器件 公开/授权日:2008-08-13
IPC分类: