发明公开
CN1835084A 磁阻元件、磁头及磁存储装置
无效 - 撤回
- 专利标题： 磁阻元件、磁头及磁存储装置
- 专利标题（英）： Magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic memory apparatus
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申请号： CN200510083660.1申请日： 2005-07-12
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公开(公告)号： CN1835084A公开(公告)日： 2006-09-20
- 发明人: 大岛弘敬 , 长坂惠一 , 城后新 , 清水丰 , 田中厚志
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 张龙哺; 郑特强
- 优先权： 2005－078007 2005.03.17 JP
- 主分类号： G11B5/39
- IPC分类号： G11B5/39 ; G01R33/09 ; H01L43/08
摘要：
本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。
IPC分类:
