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CN1847382B 用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法 失效 - 权利终止 转让

用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法
摘要：
本发明提供用于清洗半导体器件的组合物，其包含(a)含量为10～90重量％的无机酸，(b)含量为0.0001～1重量％的氢氟酸化合物，(c)含量为0～5重量％的添加剂，及(d)余量的水，以移除在制造半导体器件的精细图案的干式蚀刻处理和灰化处理中产生的光致抗蚀剂和金属蚀刻聚合物的残余物。
摘要（英）：

Provided are compositions for cleaning a semiconductor device that comprises (a) an inorganic acid in an amount ranging from 10 to 90 wt %, (b) a hydrofluoric acid compound in an amount ranging from 0.0001-1 wt %, (c) an additive in an amount ranging from 0-5 wt %, and (d) residual water to remove residuals of photoresist and metallic etching polymers which are generated in a dry etching process and an ashing process for manufacturing fine patterns of semiconductor device.

公开/授权文献
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