发明授权
- 专利标题: 受应力的薄膜隔膜岛
- 专利标题(英): Stressed thin-film membrane islands
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申请号: CN200480027505.1申请日: 2004-09-23
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公开(公告)号: CN1856350B公开(公告)日: 2012-01-04
- 发明人: 塞缪尔·B·谢维茨 , 亚历山大·弗朗茨 , 罗杰·W·巴顿
- 申请人: 利利普田系统公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 利利普田系统公司
- 当前专利权人: 利利普田系统公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 孙志湧; 陆锦华
- 优先权: 60/505,547 2003.09.23 US
- 国际申请: PCT/US2004/031283 2004.09.23
- 国际公布: WO2005/030376 EN 2005.04.07
- 进入国家日期: 2006-03-23
- 主分类号: B01D71/02
- IPC分类号: B01D71/02 ; H01M8/12 ; B01D69/10 ; C01B3/50
摘要:
一种结构包括:限定开口的支承物;以及被设置以阻塞该开口的受拉应力薄膜隔膜,该隔膜接触支承物的至少一部分。受应力隔膜包括这样的材料,该材料的特有裂缝间隔大于隔膜的最小尺寸的二分之一并且小于最小尺寸的十倍。一种结构包括:限定具有最小开口尺寸的开口的支承物,以及被设置以阻塞该开口的受压应力薄膜隔膜,该隔膜接触支承物的至少一部分。受应力隔膜包括这样的隔膜材料,该隔膜材料的临界弯曲纵横比大于最小开口尺寸的二分之一与隔膜厚度的比率,并且弯曲临界纵横比小于最小开口尺寸的十倍与隔膜厚度的比率。
公开/授权文献
- CN1856350A 受应力的薄膜隔膜岛 公开/授权日:2006-11-01