在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法

发明公开

CN1856871A 在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法失效 - 权利终止转让

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专利标题： 在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法
专利标题（英）： System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler
申请号： CN200480024282.3

申请日： 2004-08-25
公开(公告)号： CN1856871A

公开(公告)日： 2006-11-01
发明人: C·丹格洛
申请人： 纳米传导公司
申请人地址： 美国加利福尼亚州
专利权人： 纳米传导公司
当前专利权人： 尤尼蒂姆公司,由美国国家航空航天局局长代表的美利坚合众国
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 吴立明; 梁永
优先权： 60/497,849 2003.08.25 US
国际申请： PCT/US2004/027449 2004.08.25
国际公布： WO2005/041256 EN 2005.05.06
进入国家日期： 2006-02-24
主分类号： H01L21/461
IPC分类号： H01L21/461 ; H01L21/469 ; H01L21/31

摘要：

公开了采用碳纳米管或纳米线阵列以减小在集成电路芯片和散热器之间热接触电阻的散热器结构。碳纳米管阵列与布置在纳米管之间的导热金属填料结合。这个结构产生了具有高轴向和横向导热性的热界面。

摘要（英）：

Heat sink structures employing carbon nanotube or nanowire arrays to reduce the thermal interface resistance between an integrated circuit chip and the heat sink are disclosed. Carbon nanotube arrays are combined with a thermally conductive metal filler disposed between the nanotubes. This structure produces a thermal interface with high axial and lateral thermal conductivities.

公开/授权文献

CN100416781C 在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法公开/授权日：2008-09-03

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割