发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and manufacturing method thereof
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申请号： CN200610087838.4申请日： 2006-05-26
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公开(公告)号： CN1870261B公开(公告)日： 2013-11-20
- 发明人: 松嵜隆德
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 2005-156443 2005.05.27 JP
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L21/768 ; G06K19/07
摘要：
本发明提供了一种用来以低成本和高成品率制造性能和可靠性更高的半导体器件的方法。本发明的半导体器件具有第一绝缘层上的第一导电层；第一导电层上的第二绝缘层，此第二绝缘层包括延伸到第一导电层的开口；以及形成在第二绝缘层上用来将集成电路部分电连接到天线的信号布线层，和邻近信号布线层的第二导电层。第二导电层通过开口与第一导电层相接触，且第一导电层重叠信号布线层，以第二绝缘层插入其间。
公开/授权文献
- CN1870261A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2006-11-29
IPC分类:
