- 专利标题: 光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物制造薄膜晶体管基板的方法和制造共电极基板的方法
- 专利标题(英): Photosensitive resin composition, method of manufacturing a thin-film transistor substrate, and method of manufacturing a common electrode substrate using the same
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申请号: CN200610083540.6申请日: 2006-06-05
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公开(公告)号: CN1873534A公开(公告)日: 2006-12-06
- 发明人: 李羲国 , 李东基 , 金载星 , 金柄郁 , 尹赫敏 , 丘冀赫 , 尹柱豹 , 崔相角
- 申请人: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社,东进半导体化学株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社,东进半导体化学株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李伟
- 优先权: 10-2005-0048085 2005.06.04 KR; 10-2006-0036586 2006.04.24 KR
- 主分类号: G03F7/027
- IPC分类号: G03F7/027 ; G03F7/004 ; H01L21/027 ; G03F7/20
摘要:
一种用于有机层图样的光敏树脂组合物,包括:约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物,以及约5重量份至约100重量份的1,2-醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备:以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准,重量百分比约5%至约60%的基于羧酸异冰片酯的化合物,重量百分比约10%至约30%的带有环氧基团的不饱和化合物,重量百分比约20%至约40%的基于烯烃的不饱和化合物,以及重量百分比约10%至约40%的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地,有机层图样具有山形结构,该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
公开/授权文献
- CN1873534B 光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物制造薄膜晶体管基板的方法和制造共电极基板的方法 公开/授权日:2011-09-28