制造有源矩阵显示器件的方法

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专利标题： 制造有源矩阵显示器件的方法
专利标题（英）： Method for manufacturing active matrix display
申请号： CN200610100376.5

申请日： 2000-07-24
公开(公告)号： CN1881537B

公开(公告)日： 2011-04-20
发明人: 须泽英臣 , 小野幸治
申请人： 株式会社半导体能源研究所
申请人地址： 日本神奈川县厚木市
专利权人： 株式会社半导体能源研究所
当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
当前专利权人地址： 日本神奈川县厚木市
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 李亚非; 梁永
优先权： 206954/1999 1999.07.22 JP
分案原申请号： 001217380 2000.07.24
主分类号： H01L21/28
IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/336

摘要：

布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法。提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

摘要（英）：

The invention relates to a wiring and its manufacturing method, a semiconductor device comprising said wiring, and a dry etching method. The dry etching method for forming tungsten wiring having a tapered shape and having a large specific selectivity with respect to a base film is provided. If the bias power density is suitably regulated, and if desired portions of a tungsten thin film are removed using an etching gas having fluorine as its main constituent, then the tungsten wiring having a desired taper angle can be formed.

公开/授权文献

CN1881537A 布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法公开/授权日：2006-12-20

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的