发明授权
CN1894763B 用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置
- 专利标题(英): Method and apparatus for prolonging normal operation time of equipment in ion implantation process
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申请号: CN200480037117.1申请日: 2004-12-09
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公开(公告)号: CN1894763B公开(公告)日: 2010-12-08
- 发明人: 托马斯·N·霍尔斯基 , 罗伯特·W·米尔加特三世 , 小乔治·P·萨科 , 戴尔·康拉德·雅各布森 , 韦德·艾伦·科鲁尔
- 申请人: 山米奎普公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 山米奎普公司
- 当前专利权人: 山米奎普公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王允方; 刘国伟
- 优先权: 60/529,343 2003.12.12 US
- 国际申请: PCT/US2004/041525 2004.12.09
- 国际公布: WO2005/059942 EN 2005.06.30
- 进入国家日期: 2006-06-12
- 主分类号: H01J7/24
- IPC分类号: H01J7/24
摘要:
通过具有使用反应性卤素气体F或Cl就地蚀刻清理一离子源(400)及一提取电极(405)的设置的源及通过具备可延长清理之间运行持续时间的特征来增强或延长离子源(400)的运行寿命。后者包括:进行精确的蒸气流量控制,进行离子束光学元件的精确聚焦,及对所述提取电极进行温度控制以防止形成沉积物或防止电极被破坏。一种由一用于产生掺杂剂离子以进行半导体晶圆处理的离子源构成的装置耦接至一远端等离子体源,所述远端等离子体源向第一离子源输送F或Cl离子以便清理所述第一离子源及所述提取电极中的沉积物。这些方法及装置能在以可冷凝的馈入气体(例如升华的蒸气源)运行时实现长的设备正常运行时间,且尤其适用于与所谓的冷离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化砷元素及磷元素时能实现长的设备正常运行时间、并有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及装置。
公开/授权文献
- CN1894763A 用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置 公开/授权日:2007-01-10