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发明授权
CN1905216B 具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器 有权

具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器
摘要：
公开了基于半导体波导的光接收机。根据本发明方案的装置包括包含紧邻第二类型半导体区的第一类型半导体区的吸收区。第一类型半导体吸收在第一波长范围中的光，第二类型半导体吸收在第二波长范围中的光。限定倍增区以紧邻吸收区并与吸收区分开。倍增区包括存在电场的本征半导体区，以倍增在吸收区中产生的电子。
摘要（英）：

A semiconductor waveguide based optical receiver is disclosed. An apparatus according to aspects of the present invention includes an absorption region including a first type of semiconductor region proximate to a second type of semiconductor region. The first type of semiconductor is to absorb light in a first range of wavelengths and the second type of semiconductor to absorb light in a second range of wavelengths. A multiplication region is defined proximate to and separate from the absorption region. The multiplication region includes an intrinsic semiconductor region in which there is anelectric field to multiply the electrons created in the absorption region.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102 ....仅以一个势垒或面垒为特征的
H01L31/107 .....以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管
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