• 专利标题: 使用原位修整制程的化学机械平面化制程控制
  • 专利标题(英): Chemical mechanical planarization process control utilizing in-situ conditioning process
  • 申请号: CN200580003054.2
    申请日: 2005-01-25
  • 公开(公告)号: CN1910011B
    公开(公告)日: 2010-12-15
  • 发明人: 斯蒂文·J·贝纳李玉琢
  • 申请人: TBW工业有限公司
  • 申请人地址: 美国宾夕法尼亚州
  • 专利权人: TBW工业有限公司
  • 当前专利权人: TBW工业有限公司
  • 当前专利权人地址: 美国宾夕法尼亚州
  • 代理机构: 北京安信方达知识产权代理有限公司
  • 代理商 颜涛; 郑霞
  • 优先权: 60/539,163 2004.01.26 US; 11/042,999 2005.01.25 US
  • 国际申请: PCT/US2005/002314 2005.01.25
  • 国际公布: WO2005/072332 EN 2005.08.11
  • 进入国家日期: 2006-07-24
  • 主分类号: B24B1/00
  • IPC分类号: B24B1/00 B24B49/00 B24B51/00
使用原位修整制程的化学机械平面化制程控制
摘要:
一种用于提供CMP系统中的制程控制的系统和方法,其使用用于修整晶片研磨垫的真空辅助设备,从而来自修整制程的流出物(即晶片碎屑、研磨浆、化学或其它副产物)从废流中转移开,而引入分析模块,进行进一步的处理。所述分析模块用于确定所述流出物内的至少一个参数,且基于分析来产生制程控制信号。所述制程控制信号然后反馈到平面化制程,以允许多种参数例如研磨浆的成分、温度、流速等的控制。所述控制信号还可用于控制制程和/或确定所述平面化制程自身的终点。
公开/授权文献
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