带屏蔽的真空断路器室
摘要:
本发明涉及根据权利要求1的用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室。本发明的目的是增大可能的短路电流切断的数量。为此,整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成,其中所述合金由具有0.01到10%重量的铬和/或锆的铜、或者由具有0.1到0.5%重量的铬和/或银的铜构成。
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