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发明公开
CN1933193A 制作541纳米窄带通光电探测器的方法 失效 - 权利终止 转让

  • 专利标题： 制作541纳米窄带通光电探测器的方法
  • 专利标题（英）： Method for producing 541 nano narrow band-pass photoelectric detector
  • 申请号： CN200610032374.7
    申请日： 2006-10-09
  • 公开(公告)号： CN1933193A
    公开(公告)日： 2007-03-21
  • 发明人: 郭辉 , 江建国
  • 申请人： 郭辉 , 江建国
  • 申请人地址： 北京市昌平区回龙观流星花园2区5栋7门202室
  • 专利权人： 郭辉,江建国
  • 当前专利权人： 北京邮电大学,
  • 当前专利权人地址： 北京市昌平区回龙观流星花园2区5栋7门202室
  • 代理机构： 长沙市融智专利事务所
  • 代理商 颜昌伟
  • 主分类号： H01L31/18
  • IPC分类号： H01L31/18
制作541纳米窄带通光电探测器的方法
摘要：
本发明公开了一种制作541纳米窄带通光电探测器的方法，包括以下步骤：将N型硅片外延片衬底送入氧化炉生长氧化层；注入硼离子；将硅片送入LPCVD炉中生长Si3N4层；光刻P区引线孔和压焊点窗口；蒸铝；铝反刻；合金；背面减薄蒸金；合金；划片；制作带ITO薄膜541纳米峰值波长窄带通滤光片：将带导电ITO薄膜滤光片与金属管帽欧姆接触、封装。按照本发明的方法制得的541纳米窄带通光电探测器具有光谱选择性优良、光电转换率高、暗电流极低、抗干扰能力强、环境适应性好的优点，而且工艺简单、材料容易获得，可以利用现有设备和技术批量化生产，完全能满足第五版人民币防伪检测推广使用的需要。
摘要（英）：

This invention relates to a method for processing 541nm narrow band-pass photo-detector including the following steps: feeding a substrate of N type silicon epitaxial plate into a calcar to grow an oxidation layer to be injected with B ions, sending silicon plates into a LPCVD oven to grow Si3N4 layer, etching zone P leading hole and pressure weld point window, evaporating Al to be counter-etched and alloyed, thinning the back to evaporate Au to be alloyed, scribing it to process 541nm peak value wavelength narrow band-pass filter plates with the ITO film, which is ohm-contacted with a metal tube cap then to be packaged.

公开/授权文献
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