用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
Abstract:
用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料从其上具有这些物质的基片去除的组合物和方法。该组合物包括碱组分,例如与碱金属碱或碱土金属碱组合的季铵碱,或与氧化剂组合的强碱。该组合物可用于水性介质中,例如与螯合剂、表面活性剂和/或共溶剂类物质一道使用,从而在集成电路制造中实现光致抗蚀剂和/或SARC材料的高效去除,而对基片上的金属类物质例如铜、铝和/或钴合金没有不良影响,对半导体结构中使用的SiOC基介电材料也没有损害。
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