Invention Grant
- Patent Title: 用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
- Patent Title (English): Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
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Application No.: CN200580010540.7Application Date: 2005-03-02
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Publication No.: CN1938647BPublication Date: 2012-08-29
- Inventor: 梅利莎·K·拉斯 , 大卫·D·伯恩哈特 , 大卫·明塞克 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 托马斯·H·鲍姆
- Applicant: 高级技术材料公司
- Applicant Address: 美国康涅狄格州
- Assignee: 高级技术材料公司
- Current Assignee: 恩特格里斯公司
- Current Assignee Address: 美国康涅狄格州
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 王海川; 樊卫民
- Priority: 10/792,038 2004.03.03 US
- International Application: PCT/US2005/006713 2005.03.02
- International Announcement: WO2005/085957 EN 2005.09.15
- Date entered country: 2006-09-29
- Main IPC: G03F7/32
- IPC: G03F7/32 ; C11D1/62
Abstract:
用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料从其上具有这些物质的基片去除的组合物和方法。该组合物包括碱组分,例如与碱金属碱或碱土金属碱组合的季铵碱,或与氧化剂组合的强碱。该组合物可用于水性介质中,例如与螯合剂、表面活性剂和/或共溶剂类物质一道使用,从而在集成电路制造中实现光致抗蚀剂和/或SARC材料的高效去除,而对基片上的金属类物质例如铜、铝和/或钴合金没有不良影响,对半导体结构中使用的SiOC基介电材料也没有损害。
Public/Granted literature
- CN1938647A 用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法 Public/Granted day:2007-03-28
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